首页 > 商品目录 > > > > STB120NF10T4代替型号比较

STB120NF10T4  与  IPB027N10N3 G  区别

型号 STB120NF10T4 IPB027N10N3 G
唯样编号 A36-STB120NF10T4 A33-IPB027N10N3 G
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.5m Ohms@60A,10V 2.7mΩ@100A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 312W(Tc) 300W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 110A 120A
系列 STripFET™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 233nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
5+ :  ¥31.5261
10+ :  ¥28.1723
50+ :  ¥27.3099
100+ :  ¥26.3516
500+ :  ¥26.0642
1,000+ :  ¥25.6809
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
IPB027N10N3 G Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPB027N10N3GATMA1_TO-263-3

¥31.5261 

阶梯数 价格
5: ¥31.5261
10: ¥28.1723
50: ¥27.3099
100: ¥26.3516
500: ¥26.0642
1,000: ¥25.6809
2,000 对比
IRFS4310ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥6.138 

阶梯数 价格
9: ¥6.138
97 对比
IRFS4310TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥18.399 

阶梯数 价格
1: ¥18.399
25: ¥17.6913
34 对比
BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7610-100B_SOT404

¥29.6007 

阶梯数 价格
180: ¥29.6007
400: ¥23.1256
800: ¥18.9554
0 对比
IPB054N08N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N08N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售